Базы данных


Журналы. Газеты. Статьи- результаты поиска

Вид поиска

КОЛЛЕКЦИИ
Область поиска
 Найдено в других БД:Электронный каталог книг (33)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>R=29.19.31$<.>)
Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4
1.


    Рябова, Л. И.
    Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца / Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов // Успехи физических наук. - 2014. - Т. 184, № 10. - С. 1033-1044 : 20 рис. - Библиогр.: с. 1044 (64 назв.) . - ISSN 0042-1294

ГРНТИ
УДК
ББК 22.37

Рубрики:
Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные): лазерные терагерцовые излучения -- локальные состояния -- нетривиальные состояния -- теллурид свинца -- терагерцовая фотопроводимость -- узкощелевые полупроводники -- фотоэлектрические эффекты
Аннотация: В обзоре рассмотрены фотоэлектрические эффекты, наблюдающиеся в легированных узкощелевых полупроводниках на основе теллура свинца при воздействии мощных импульсов лазерного терагерцового излучения.

Держатели документа:
Тюменская ОНБ : ул. Орджоникидзе, 59

Доп. точки доступа:
Хохлов, Д. Р.


Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (25.11.2014г. Экз. 1 - ) (свободен)

Найти похожие

2.


   
    Моделирование фотоэлектрических характеристик матричных ИК фотоприемников методом Монте-Карло / В. Г. Половинкин [и др.] // Доклады Академии наук высшей школы Российской Федерации. - 2017. - № 4 (37). - С. 91-100 : рис. - Библиогр.: с. 97-98 (8 назв.). - Аннот. на англ. яз.: с. 98-99 . - ISSN 1727-2769

ГРНТИ
УДК
ББК 22.379

Рубрики:
Физика
Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные): ик фотоприемные устройства -- монте-карло метод -- локальная квантовая эффективность -- матричные фотоприемники -- метод монте-карло -- параметры фотодиодов -- пространственное распределение -- фотоприемники
Аннотация: Показан способ моделирования фотоэлектрических характеристик матричных ИК фотоприемников методом Монте-Карло.

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Половинкин, Владимир Григорьевич (кандидат физико-математических наук)
Стучинский, Виктор Андреевич (кандидат физико-математических наук)
Вишняков, Алексей Витальевич (кандидат физико-математических наук)
Ли, Ирлам Игнатьевич (доктор технических наук)


Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (13.03.2018г. Экз. 1 - ) (свободен)

Найти похожие

3.


   
    Подавление образования дефектных областей вокруг индиевых контактов при отжиге n-p-переходов матричного фотоприемника на основе КРТ / Д. Ю. Протасов [и др.] // Доклады Академии наук высшей школы Российской Федерации. - 2017. - № 4 (37). - С. 43-51 : рис. - Библиогр.: с. 49 (12 назв.). - Аннот. на англ. яз.: с. 49-50 . - ISSN 1727-2769

ГРНТИ
УДК
ББК 22.379

Рубрики:
Физика
Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные): n-p-переходы -- крт -- кадмий-ртуть-теллур -- матричные фотоприемные устройства -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- низкотемпературный отжиг -- тройные сплавы
Аннотация: Показано использование тройного сплава КРТ для создания матричных фотоприемных устройств.

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Протасов, Дмитрий Юрьевич (кандидат физико-математических наук)
Новоселов, Андрей Рудольфович (кандидат технических наук)
Абодян, Михаил Ехишенович
Костюченко, Владимир Яковлевич (доктор физико-математических наук; доцент)


Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (13.03.2018г. Экз. 1 - ) (свободен)

Найти похожие

4.


   
    Диагностика планарного p-n-перехода / Л. А. Борыняк [и др.] // Доклады Академии наук высшей школы Российской Федерации. - 2017. - № 4 (37). - С. 7-13 : рис. - Библиогр.: с. 10-11 (10 назв.). - Аннот. на англ. яз.: с. 11-12 . - ISSN 1727-2769

ГРНТИ
УДК
ББК 22.379

Рубрики:
Физика
Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные): p-n-переходы -- голографическая интерферометрия -- двумерный p-n-переход -- измерения температуры -- планарный p-n-переход -- способы измерения температуры -- термодеформации
Аннотация: Рассмотрен способ измерения температуры в планарном p-n-переходе.

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Борыняк, Леонид Александрович (доктор физико-математических наук; профессор)
Пейсахович, Юрий Григорьевич (доктор физико-математических наук; доцент)
Петров, Никита Юрьевич
Штыгашев, Александр Анатольевич (доктор физико-математических наук; профессор)


Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (13.03.2018г. Экз. 1 - ) (свободен)

Найти похожие

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)