Базы данных


Журналы. Газеты. Статьи- результаты поиска

Вид поиска

КОЛЛЕКЦИИ
Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>U=621.382<.>)
Общее количество найденных документов : 249
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.


    Обухов, И. А. (доктор физико-математических наук).
    Приборы на основе пересекающихся нанопроводов = Devices based on crossed nanowires / И. А. Обухов, И. И. Обухов // Нано- и микросистемная техника. - 2024. - Т. 26, № 1. - С. 42-51 : 15 рис. - Библиогр. в конце ст. (20 назв.). - Текст парал.: англ., рус. . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 32.852

Рубрики:
Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные): квантование энергии -- нанопровода -- подпороговая крутизна -- полевые транзисторы -- размерное квантование энергии -- термоэмиссионный предел -- транзисторы -- ячейки памяти
Аннотация: Рассмотрены конструкции двух приборов, которые могут быть созданы с использованием пересекающихся нанопроводов: полевого транзистора с металлическим затвором и ячейки памяти.

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Обухов, И. И.


Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (06.03.2024г. Экз. 1 - 6337.41 р.) (свободен)

Найти похожие

2.


    Ваганов, Андрей.
    Ступени микроэлектронной лестницы / Андрей Ваганов // Энергия: экономика, техника, экология. - 2023. - № 1. - С. 2-8 . - ISSN 0233-3619
УДК
ББК 32.852 + 65.5

Рубрики:
Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Экономика
Мировая экономика. Международные экономические отношения -- США -- Тайвань -- Китай; Россия

Кл.слова (ненормированные): микроэлектроника -- чипы -- лидеры производства -- интегральные схемы -- микросхемы -- литографы -- российская микроэлектроника -- государственное финансирование -- перспективы производства
Аннотация: Оценка мирового производства чипов и современных возможностей России в этой сфере микроэлектроники.

Держатели документа:
ТОНБ

Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (16.02.2023г. Экз. 1 - 1795.49 р.) (свободен)

Найти похожие

3.


   
    Исследование полимерных нитей с наноостровковой топологией наногетероструктур алюминия = A study of polymer threads with nanoisland topologies of aluminum nanoheterostructures / П. П. Мальцев, А. А. Ганжа, В. Ю. Павлов [и др.] // Нано- и микросистемная техника. - 2023. - Т. 25, № 5. - С. 203-209 : 4 рис., 1 табл. - Библиогр. в конце ст. (11 назв.). - Текст парал.: англ., рус. . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 32.852

Рубрики:
Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные): алюминий -- двумерные пленки -- излучение -- металлизация -- наногетероструктуры алюминия -- наноостровковая топология -- полимерные нити
Аннотация: Рассмотрены результаты исследования параметров нескольких вариантов образцов полимерных нитей: без металлизации; со сплошной металлизацией; с наноостровковой топологией наногетероструктур из алюминия.

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Мальцев, П. П. (доктор технических наук)
Ганжа, А. А. (кандидат технических наук)
Павлов, В. Ю.
Михалев, А. О.
Козлитин, А. И. (кандидат физико-математических наук)
Сарайкин, В. В.


Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (27.10.2023г. Экз. 1 - 2755.92 р.) (свободен)

Найти похожие

4.


    Абрамов, И. И. (доктор физико-математических наук).
    Возможна ли искусственная реализация сознания? = Is it possible to realize consciousness artificially? / И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника. - 2023. - Т. 25, № 1. - С. 42-48 : 2 рис. - Библиогр. в конце ст. (21 назв.). - Текст парал.: англ., рус. . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 32.852

Рубрики:
Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные): гибридное сознание -- идеалистическое сознание -- искусственная реализация сознания -- искусственное сознание -- материалистическое сознание
Аннотация: В статье отмечается, что ученые выделяют три возможных направления искусственной реализации сознания: материалистическое, идеалистическое, гибридное.

Держатели документа:
ТОНБ

Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (01.03.2023г. Экз. 1 - 2755.92 р.) (свободен)

Найти похожие

5.


    Печерская, Е. А. (доктор технических наук).
    Временная стабильность составных тонкопленочных резистивных структур = Temporary stability of composite thin-film resistive structures / Е. А. Печерская, С. А. Гурин, М. Д. Новичков // Нано- и микросистемная техника. - 2023. - Т. 25, № 2. - С. 82-86 : 5 рис. - Библиогр. в конце ст. (11 назв.). - Текст парал.: англ., рус. . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 32.852

Рубрики:
Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные): резистивные структуры -- тонкие пленки -- тонкопленочные резистивные структуры
Аннотация: Исследованы процессы, протекающие в структуре тонких пленок, приводящие к изменению сопротивления тонкопленочного резистора с течением времени.

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Гурин, С. А. (кандидат технических наук)
Новичков, М. Д.


Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (28.04.2023г. Экз. 1 - 2755.92 р.) (свободен)

Найти похожие

6.


   
    Информационная безопасность микросистем. Микроконтроллер = Information security of microsystems. Microcontroller / К. К. Кондрашов, А. О. Гасников, С. Б. Калинин, В. В. Лучинин // Нано- и микросистемная техника. - 2023. - Т. 25, № 6. - С. 288-294 : 3 рис. - Библиогр. в конце ст. (7 назв.). - Текст парал.: англ., рус. . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 32.852

Рубрики:
Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные): информационная безопасность -- микроконтроллеры -- тестирование -- энергоинформационный реинжиниринг
Аннотация: Рассмотрены методологические и практические аспекты проведения тестирования микроконтроллеров на устойчивость к энергоинформационному реинжинирингу.

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Кондрашов, К. К. (инженер)
Гасников, А. О. (кандидат технических наук)
Калинин, С. Б.
Лучинин, В. В. (доктор технических наук)


Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (09.01.2024г. Экз. 1 - 2755.92 р.) (свободен)

Найти похожие

7.


   
    Метаповерхности для резонансно-туннельных диодов с двойным металлическим волноводом = Metasurfaces for resonant tunneling diodes with double metal waveguides / А. С. Соболев, А. Ю. Павлов, М. В. Майтама [и др.] // Нано- и микросистемная техника. - 2023. - Т. 25, № 6. - С. 295-298. - Библиогр. в конце ст. (14 назв.). - Текст парал.: англ., рус. . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 32.852

Рубрики:
Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные): ртд -- волновое сопротивление -- диоды с двойным металлическим волноводом -- метаповерхности -- распределенные генераторы -- резонансно-туннельные диоды -- сплит-ринг -- щелевые резонаторы -- электромагнитное моделирование
Аннотация: Предложены конструкции распределенных резонансно-туннельных диодов (РТД) с двойным металлическим волноводом, в верхнем электроде которого сформирован периодический рисунок (метаповерхность) на базе отверстий гексагональной решетки и цепочки щелевых резонаторов.

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Соболев, А. С. (кандидат физико-математических наук)
Павлов, А. Ю. (кандидат технических наук)
Майтама, М. В.
Глинский, И. А.
Пономарев, Д. С.
Хабибуллин, Р. А. (кандидат физико-математических наук)


Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (09.01.2024г. Экз. 1 - 2755.92 р.) (свободен)

Найти похожие

8.


    Масальский, Н. В. (кандидат физико-математических наук).
    Низковольтные логические вентили на базе вертикальных GAA нанотранзисторов = Low-voltage logic gates based on vertical GAA nanotransistors / Н. В. Масальский // Нано- и микросистемная техника. - 2023. - Т. 25, № 5. - С. 210-215 : 5 рис. - Библиогр. в конце ст. (23 назв.). - Текст парал.: англ., рус. . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 32.852

Рубрики:
Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные): gaa нанотранзисторы -- кмоп -- кмоп-нанотранзисторы -- кни -- комплементарно-металл-оксид-полупроводник -- кремний на изоляторе -- логические вентили -- моделирование транзисторов -- нанотранзисторы -- низковольтные вентили -- низкое напряжение питания -- полупроводники с универсальным затвором -- синтез вентилей
Аннотация: Обсуждаются вопросы численного моделирования низковольтных логических вентилей на базе кремниевых вертикальных КМОП-нанотранзисторов с полностью охватывающим затвором с конической геометрией.

Держатели документа:
ТОНБ

Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (27.10.2023г. Экз. 1 - 2755.92 р.) (свободен)

Найти похожие

9.


    Жукова, С. А. (кандидат технических наук).
    Проблемы технологии герметизации на уровне пластин при изготовлении чувствительного элемента для микромеханического акселерометра = Problems of wafer level packaging of sensitive elements for MEMS / С. А. Жукова, Д. Ю. Обижаев, С. Ю. Суздальцев // Нано- и микросистемная техника. - 2023. - Т. 25, № 5. - С. 221-228 : 15 рис., 1 табл. - Библиогр. в конце ст. (11 назв.). - Текст парал.: англ., рус. . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 32.852

Рубрики:
Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные): кнп -- мэмс -- акселерометры -- анодное сращивание -- вакуумно-плазменное травление -- высокоанизотропное травление -- герметичные контакты -- компенсационные акселерометры -- кремний над полостью -- маятниковые акселерометры -- микроабразивная обработка -- микромеханические акселерометры -- микроэлектромеханические системы
Аннотация: Рассмотрены ключевые проблемы технологии КНП (кремний над полостью) при изготовлении чувствительных элементов микромеханических акселерометров маятникового и компенсационного типов со сборкой и герметизацией на уровне пластин: этап высокоанизотропного вакуумно-плазменного травления тонкой пластины кремния; этап анодного сращивания КНП с герметизирующей стеклянной крышкой; этап изготовления герметичных контактов.

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Обижаев, Д. Ю. (кандидат технических наук)
Суздальцев, С. Ю. (кандидат технических наук)


Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (27.10.2023г. Экз. 1 - 2755.92 р.) (свободен)

Найти похожие

10.


   
    Разработка монолитных интегральных схем на гетероструктурах нитрида галлия = Development of monolithic integrated circuits on gallium nitride heterostructures / С. А. Гамкрелидзе, Д. Л. Гнатюк, О. С. Матвеенко [и др.] // Нано- и микросистемная техника. - 2022. - Т. 24, № 2. - С. 55-66 : 22 рис. - Библиогр. в конце ст. (48 назв.). - Текст парал.: англ., рус. . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 32.852

Рубрики:
Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные): генераторы -- интегрированные антенны -- карбид кремния -- кремний -- кристаллы -- малошумящие усилители -- микросхемы -- монолитные интегральные схемы -- наногетероструктуры нитрида галлия -- подложки -- радиолокация -- радиосвязь -- сапфиры -- усилители мощности
Аннотация: О проектировании монолитных интегральных схем на гетероструктурах нитрида галлия и различных подложках.

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Гамкрелидзе, С. А. (доктор технических наук)
Гнатюк, Д. Л. (кандидат технических наук)
Матвеенко, О. С. (кандидат технических наук)
Бугаев, С. А.
Галиев, Р. Р.
Зуев, А. В.
Лаврухин, Д. В.
Михалев, А. О.
Павлов, А. Ю. (кандидат технических наук)
Щаврук, Н. В. (кандидат технических наук)
Мальцев, П. П. (доктор технических наук)


Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (05.05.2022г. Экз. 1 - Б.ц.) (свободен)

Найти похожие

 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)