Тюменская областная научная библиотека

Базы данных

Журналы. Газеты. Статьи- результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог книг

Патентная и нормативно-техническая документация

Краеведение

Журналы. Газеты. Статьи

КОЛЛЕКЦИИ

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>U=621.382<.>)

Общее количество найденных документов : 249
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Глухов, А. В. (кандидат технических наук; доцент).
Комплексное моделирование полупроводниковых стабилитронов / А. В. Глухов, А. А. Курленко, Л. Г. Рогулина // Электросвязь. - 2018. - № 12. - С. 70-75

УДК

^a621.382

ББК 32.852

Рубрики:
Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные): комплексное моделирование -- полупроводниковые стабилитроны -- диоды зенера -- зенера диоды -- микросхемы -- стабилитроны -- вольтамперные характеристики
Аннотация: Приводятся результаты комплексного моделирования полупроводниковых стабилитронов. Рассматриваются три варианта моделей, представляющих интерес для дальнейшего использования и развития.

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Курленко, А. А. (аспирант)
Рогулина, Л. Г. (доктор технических наук)

Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (15.01.2019г. Экз. 1 - ) (свободен)

Найти похожие

Абдулов, Р. Н. (кандидат технических наук; заместитель главного инженера).
Оптимальная коррекция ослабления несущего лазерного луча в распределенных системах связи и управления / Р. Н. Абдулов // Электросвязь. - 2018. - № 9. - С. 66-68 : 3 ил. - Библиогр.: с. 68 (12 назв. )

УДК

^a621.382

ББК 32.852

Рубрики:
Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные): оптическая связь -- мультипликативная коррекция -- лазерные лучи -- сети связи -- оптимизация -- сигналы
Аннотация: Анализируются вопросы оптимизации коррекции затухания несущего лазерного луча в распределенных системах связи и управления. Рассмотрена модельная задача компенсации затухания интенсивности несущего лазерного луча в таких системах. Сформулирована и решена задача оптимальной мультипликативной коррекции затухания интенсивности лазерного луча при введении ограничения на мощностные показатели используемых сигналов. Показана применимость полученных результатов как для систем распределенной лазерной сети связи, так и для систем лазерной подсветки мишеней наведения управляемых снарядов. Предложенная модель оптимизации применима также для случая реализации коррекции затухания сигнала на передатчике.

Держатели документа:
ТОНБ

Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (05.10.2018г. Экз. 1 - ) (свободен)

Найти похожие

Грамматчиков, Алексей.
Влиться в светодиодную революцию / Алексей Грамматчиков // Эксперт. - 2018. - № 35. - С. 29-31 : 1 граф., цв. фот. . - ISSN 1812-1896

УДК

^a621.382

^a338.45:621

ББК 32.852 + 65.305.4

Рубрики:
Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Экономика
Экономика машиностроительной промышленности -- Россия

Кл.слова (ненормированные): led-экраны -- информационно-рекламные проекты -- мировой рынок светодиодных экранов -- производители светодиодов -- размещение заказа -- российские компании -- светодиодные технологии -- светодиодные экраны -- светодиоды -- сервисные услуги -- спрос на led-экраны -- сфера средств визуализации
Аннотация: Рассказывается о светодиодных технологиях и использовании светодиодов в различных сферах. Раскрываются преимущества светодиодных экранов. Приводится краткая информация о мировом рынке светодиодных дисплеев. Обращается внимание на то, что российские компании не могут конкурировать с зарубежными производителями светодиодов, поэтому их деятельность направлена на выбор иностранной компании для размещения заказа с нужными характеристиками, контроля производства и оказание услуг по наладке и интеграции экранов в информационно-рекламные проекты.

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Polymedia, компания. 2 \о нем\
Компания Polymedia. 2 \о нем\

Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (03.09.2018г. Экз. 1 - ) (свободен)

Найти похожие

Трегулов, В. В.
Механизмы токопрохождения в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя с n+-p-переходом и антиотражающей пленкой пористого кремния, сформированной методом окрашивающего травления / В. В. Трегулов, В. Г. Литвинов, А. В. Ермачихин // Журнал технической физики. - 2019. - Т. 89, № 5. - С. 737-743. - Библиогр.: с. 743 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a537.311.33

^a621.382

ББК 22.379 + 32.852

Рубрики:
Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные): токопрохождение -- фотоэлектрические преобразователи -- n+-p-переходы -- пористый кремний -- антиотражающие пленки -- окрашивающее травление -- кремний -- вольт-амперные характеристики -- полупроводниковые структуры
Аннотация: Исследованы экспериментальные образцы фотоэлектрических преобразователей с n{+}-p-переходом на основе монокристаллического кремния и антиотражающей пленкой пористого кремния, сформированной методом окрашивающего химического травления в травителе HF: KMnO[4]: C[2]H[5]OH. Показано, что при концентрациях окислителя KMnO[4] 0. 025 и 0. 040 M длительность роста пленки пористого кремния, при которой достигается наибольшая эффективность фотоэлектрического преобразователя, может быть существенно увеличена по сравнению с методом анодного электрохимического травления. Для исследования механизмов токопрохождения измерялась температурная зависимость прямых и обратных ветвей вольт-амперных характеристик. Обнаружено наличие нескольких механизмов токопрохождения. Установлено, что на процессы токопрохождения существенное влияние оказывают ловушки, с энергиями активации, распределенными в непрерывном диапазоне значений.

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Литвинов, В. Г.
Ермачихин, А. В.

Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (14.06.2019г. Экз. 1 - ) (свободен)

Найти похожие

Исследование формирования омических контактов Au/Mo/Ti с пониженным сопротивлением к эпитаксиальным слоям алмаза p-типа / М. Н. Дроздов, Е. В. Демидов, Ю. Н. Дроздов [и др.] // Журнал технической физики. - 2019. - Т. 89, № 12. - С. 1923-1932. - Библиогр.: с. 1931-1932 (27 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a621.382

ББК 32.852

Рубрики:
Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- алмазы -- эпитаксиальные слои -- золото -- молибден -- титан -- отжиг -- вторично-ионная масс-спектрометрия -- защитные слои
Аннотация: Изучено формирование омических контактов Au/Mo/Ti к эпитаксиальным пленкам алмаза p-типа. Исследовано влияние отжига на электрические и структурные свойства контактов. Показано, что при быстром термическом отжиге внешний слой золота защищает контактную систему от окисления вплоть до температуры 850{o}C в отличие от упрощенной системы Au/Ti, распространенной в современных работах. В структурах Au/Ti без слоя Mo после высокотемпературного отжига происходит эффективная диффузия титана в слой золота, что снижает его защитные свойства и ускоряет процесс диффузии кислорода к границе с алмазом. Окисление контактной области Ti/C блокирует формирование проводящего слоя карбида титана с высокой адгезией на границе с алмазом. Сопоставлена роль различных факторов в снижении контактного сопротивления: отжига для формирования карбида титана, сильного легирования алмаза атомами бора и кристаллического совершенства эпитаксиальных подложек алмаза. Для легированных эпитаксиальных пленок, выращенных на подложках качества "single sector", получены невплавные омические контакты с рекордным контактным сопротивлением 4*10{-7} Omega*cm{2}.

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Дроздов, М. Н.
Демидов, Е. В.
Дроздов, Ю. Н.
Краев, С. А.
Шашкин, В. И.
Архипова, Е. А.
Лобаев, М. А.
Вихарев, А. Л.
Горбачев, А. М.
Радищев, Д. Б.
Исаев, В. А.
Богданов, С. А.

Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (20.01.2020г. Экз. 1 - ) (свободен)

Найти похожие

Матвеев, Б. А.
Сравнительный анализ характеристик термофотовольтаических преобразователей на основе структур p-InAsSbP/n-InAs, облучаемых со стороны p- и n-типа проводимости / Б. А. Матвеев, В. И. Ратушный, А. Ю. Рыбальченко // Журнал технической физики. - 2019. - Т. 89, № 8. - С. 1233-1237. - Библиогр.: с. 1236-1237 (10 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a621.382

ББК 32.852

Рубрики:
Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные): термофотовольтаические преобразователи -- гетероструктуры -- флип-чип
Аннотация: Проведено моделирование основных характеристик термофотовольтаических преобразователей, выполненных на основе гетероструктур p-InAsSbP/n-InAs в конструкциях с контактом ограниченной площади к облучаемому слою p-InAsSbP и флип-чип с вводом излучения через свободную от контактов поверхность подложки n{+}-InAs. Показано влияние особенностей конструкции на температуру активной области и на эффективность преобразователя.

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Ратушный, В. И.
Рыбальченко, А. Ю.

Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (10.09.2019г. Экз. 1 - ) (свободен)

Найти похожие

Аномальное поведение боковой C-V-характеристики МНОП-транзистора со встроенным локальным зарядом в нитридном слое / З. А. Атамуратова [и др.] // Журнал технической физики. - 2019. - Т. 89, № 7. - С. 1067-1070. - Библиогр.: с. 1070 (13 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a621.382

ББК 32.852

Рубрики:
Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные): мноп-транзисторы -- c-v-характеристики -- встроенные локальные заряды -- ловушечные заряды -- емкость перехода -- вольт-фарадные характеристики -- полевые транзисторы
Аннотация: Выполнено моделирование C-V-зависимости для бокового перехода исток-подложка транзистора металл-нитрид-оксид-полупроводник. Встраивание локального ловушечного заряда в нитридный слой приводит к аномальному скачку или спаду емкости перехода при определенных напряжениях на переходе, зависящих от концентрации легирующей примеси в подложке. Такое изменение емкости связано с перераспределением носителей заряда в приповерхностной области подложки, вызванным встраиванием локального заряда. Данная особенность поведения вольт-фарадной характеристики может быть использована для детектирования локального заряда, встроенного в диэлектрический слой полевого транзистора.

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Атамуратова, З. А.
Юсупов, А.
Халикбердиев, Б. О.
Атамуратов, А. Э.

Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (08.08.2019г. Экз. 1 - ) (свободен)

Найти похожие

Зубченко, К. А.
Приборно-технологическое моделирование как метод исследования полупроводниковых структур / К. А. Зубченко // Актуальные проблемы современной науки. - 2017. - № 5. - С. 71-72. - Библиогр.: с. 72 (3 назв. ) . - ISSN 1680-2721

УДК

^a62.001.57

^a621.382

ББК 30в6 + 32.852

Рубрики:
Техника
Техническое моделирование
Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные): технологическое моделирование -- приборно-технологическое моделирование -- двумерное моделирование -- численный анализ -- программные инструменты -- полупроводниковые структуры -- математическое моделирование -- микроэлектроника
Аннотация: Варианты программного обеспечения для систем численного моделирования технологических процессов и приборных характеристик полупроводниковых приборов.

Держатели документа:
ТОНБ

Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (11.01.2018г. Экз. 1 - ) (свободен)

Найти похожие

Электромеханические преобразователи на основе ионных полимер-полимерных композитов = Electromechanical Transducers Based on Ionic Polymer-Polymer Composites / И. К. Хмельницкий [и др.] // Нано- и микросистемная техника. - 2018. - Т. 20, № 3. - С. 167-174 : 8 рис., 2 табл. - Библиогр. в конце ст. (8 назв.). - Текст парал.: рус. англ. . - ISSN 1813-8586

УДК

^a621.382

ББК 32.852

Рубрики:
Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные): ионные жидкости -- ионные композиты -- ионные полимер-полимерные композиты -- полимерные композиты
Аннотация: Представлен новый класс органических электроактивных полимеров, которые могут использоваться для создания электромеханических преобразователей.

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Хмельницкий, И. К. (кандидат химических наук)
Алексеев, Н. И. (доктор физико-математических наук)
Бройко, А. П. (кандидат технических наук)
Каленов, В. Е.
Корляков, А. В. (доктор технических наук)
Лагош, А. В.
Лившиц, А. О.
Лучинин, В. В. (доктор технических наук)

Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (27.03.2018г. Экз. 1 - ) (свободен)

Найти похожие

10.

Гармаш, В. М.
Методы измерения параметров излучения импульсных линеек лазерных диодов на основе GaAs / В. М. Гармаш, К. А. Воронова // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2015. - Т. 81, № 6. - С. 34-38. - Библиогр.: с. 38 (16 назв. ) . - ISSN 1028-6861

УДК

^a621.382

ББК 32.852

Рубрики:
Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные): линейки лазерных диодов -- лазерные диоды -- излучение импульсных линеек -- измерение параметров -- gaas -- распределение интенсивности излучения -- интенсивность светового пучка -- программное обеспечение -- интегральные профили интенсивности
Аннотация: Разработан метод исследования распределения интенсивности излучения между отдельными диодами линейки лазерных диодов. Данный способ позволяет проследить, каким образом каждый отдельный диод линейки влияет на суммарную интенсивность светового пучка линейки лазерных диодов.

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Воронова, К. А.

Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (22.07.2015г. Экз. 1 - ) (свободен)

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Тематический навигатор

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)