Базы данных


Журналы. Газеты. Статьи- результаты поиска

Вид поиска

КОЛЛЕКЦИИ
Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>U=621.382<.>)
Общее количество найденных документов : 249
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Юрков С. Н., Мнацаканов Т. Т., Тандоев А. Г.
Заглавие : Теоретический анализ эффекта dU/dt в тиристорных структурах на основе 4H-SiC
Серия: Твердотельная электроника
Место публикации : Журнал технической физики. - 2018. - Т. 88, № 10. - С.1544-1550. - ISSN 0044-4642 (Шифр Ж9/2018/10). - ISSN 0044-4642
Примечания : Библиогр.: с. 1550 (13 назв. )
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): тиристорные структуры--численное моделирование--du/dt эффект--карбид кремния--критический заряд включения--шунты--технологические шунты
Аннотация: На основе результатов численного моделирования проведен анализ особенностей эффекта dU/dt в тиристорных структурах на основе 4H-SiC, связанных с реализацией в них недавно обнаруженного alpha-механизма включения. Показано, что одним из проявлений этого механизма является катастрофическое снижение блокируемого тиристором напряжения при увеличении температуры структуры. Обсуждены практические пути устранения обнаруженного эффекта.
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Платонов В. В., Генералов С. С., Смехова М. И., Амеличев В. В., Поломошнов С. А.
Заглавие : Электростатический МЭМС-ключ на структуре кремний- стекло
Серия: Элементы МНСТ
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 7. - С.43-47. - ISSN 1813-8586 (Шифр Н218/2013/7). - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 47 (4 назв.)
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): рабочее напряжение--металлизация из алюминия--электростатические актюаторы--подвижные электроды--мемс- переключатели--удаление жертвенного слоя
Аннотация: Рассмотрены основные преимущества МЭМС-переключателей. Приведены результаты реализации конструкции кремний-стекло с балочным креплением подвижных электродов, не имеющей в технологии изготовления операцию удаления жертвенного слоя.
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Хмельницкий И. К., Алексеев Н. И., Бройко А. П., Каленов В. Е., Корляков А. В., Лагош А. В., Лившиц А. О., Лучинин В. В.
Заглавие : Электромеханические преобразователи на основе ионных полимер-полимерных композитов
Параллельн. заглавия :Electromechanical Transducers Based on Ionic Polymer-Polymer Composites
Серия: Элементы МНСТ
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2018. - Т. 20, № 3. - С.167-174: 8 рис., 2 табл. - ISSN 1813-8586 (Шифр Н218/2018/3). - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. в конце ст. (8 назв.). - Текст парал.: рус. англ.
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Аннотация: Представлен новый класс органических электроактивных полимеров, которые могут использоваться для создания электромеханических преобразователей.
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Каленов В. Е., Корляков А. В., Алексеев Н. И., Бройко А. П., Лагош А. В., Лучинин В. В., Хмельницкий И. К.
Заглавие : Электромеханическая модель ИПМК-актюатора
Параллельн. заглавия :Electromechanical Model of IPMC-Actuator
Серия: Моделирование и конструирование МНСТ
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2019. - Т. 21, № 2. - С.89-97: 7 рис. - ISSN 1813-8586 (Шифр Н218/2019/21/2). - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. в конце ст. (10 назв.). - Текст парал.: рус., англ.
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ипмк--актюаторы--ионные полимер-металлические композиты--линейные уравнения--системы линейных уравнений--электромеханические модели
Аннотация: В статье представлена работа преобразователя с помощью совокупности систем линейных уравнений.
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Шустов М.
Заглавие : Аналоги тринисторов с полевыми транзисторами
Серия: Радиолюбителю-конструктору
Место публикации : Радио. - 2016. - № 12. - С.27: 8 схем. (Шифр Р44/2016/12)
Примечания : Библиогр.: с. 27 (3 назв.)
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): аналоги тринисторов--полевые транзисторы--тринистороподобные структуры--тринисторы
Аннотация: Приведено несколько схем тринистороподобных структур, построенных с использованием полевых транзисторов с изолированным затвором.
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Черепанов А. А., Новиков И. Л., Васильев В. Ю.
Заглавие : Считывающая электроника для СКВИД-магнитометров постоянного тока . Ч. 3 : Полупроводниковая криогенная электроника
Параллельн. заглавия :Read-Out Electronics for dc-SQUID Magnetometers. Part 3. Semiconductor Cryogenic Electronics
Серия: Элементы МНСТ
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2019. - Т. 21, № 5. - С.298-309: 5 рис. - ISSN 1813-8586 (Шифр Н218/2019/21/5). - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. в конце ст. (22 назв.). - Текст парал.: рус., англ.
УДК : 621.382
ББК : 32.854
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): сквид-магнитометры--сверхпроводящая электроника--считывающая электроника--электронные схемы
Аннотация: Представлен анализ требований к криогенной полупроводниковой электронике и рассмотрены ее преимущества применительно к схемам считывания пт-СКВИДов.
Найти похожие

7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Черепанов А. А., Новиков И. Л., Васильев В. Ю.
Заглавие : Считывающая электроника для СКВИД-магнитометров постоянного тока . Ч. 2 : Системы считывания и их ограничения
Параллельн. заглавия :Read-Out Electronics for dc-SQUID magnetometers. Part 2. Read-Out Systems and their Limitations
Серия: Элементы МНСТ
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2019. - Т. 21, № 4. - С.231-246: 4 рис. - ISSN 1813-8586 (Шифр Н218/2019/21/4). - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. в конце ст. (19 назв.). - Текст парал.: рус., англ.
УДК : 621.382
ББК : 32.854
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): сквид-магнитометры--сверхпроводящая электроника--считывающая электроника--электронные схемы
Аннотация: Рассмотрены базовые электронные схемы считывания слабого полезного сигнала со СКВИДа и рассмотрены основные ограничения, вносимые дополнительной электронной обвязкой.
Найти похожие

8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Черепанов А. А., Новиков И. Л., Васильев В. Ю.
Заглавие : Считывающая электроника для СКВИД-магнитометров постоянного тока . Ч. 1 : Магнитометры постоянного тока и их ограничения
Параллельн. заглавия :Read-Out Electronics for dc-SQUID Magnetometers. Part 1. Dc Magnetometers and their Limitations
Серия: Элементы МНСТ
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2019. - Т. 21, № 1. - С.40-51: 4 рис. - ISSN 1813-8586 (Шифр Н218/2019/21/1). - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. в конце ст. (47 назв.). - Текст парал.: рус., англ.
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): сквид-магнитометры--магнитометры--постоянный ток--считывающая электроника
Аннотация: Проанализированы основные ограничения пт-СКВИДов, не позволяющие использовать их как оконечные устройства для детектирования слабых магнитных полей.
Найти похожие

9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Черемисин А. Б. (кандидат физико-математических наук), Мацегор С. А., Пузанов Д. М.
Заглавие : Прототип тонкопленочного полевого транзистора с InZnON каналом для разработки нового типа фотодетекторов с чувствительным слоем из коллоидных квантовых точек
Параллельн. заглавия :In ZnON-based thin film transistor for the development of new type photo detectors with a colloidal quantum dots sensitive layer
Серия: Элементы МНСТ
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2020. - Т. 22, № 8. - С.452-460: 4 рис., 3 табл. - ISSN 1813-8586 (Шифр Н218/2020/22/8). - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. в конце ст. (15 назв.). - Текст парал.: англ., рус.
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): inznon--аморфные оксидные полупроводники--аморфные полупроводники--канал inznon--квантовые точки--коллоидные квантовые точки--коллоидные точки--полевые транзисторы--тонкопленочные полевые транзисторы--тонкопленочные транзисторы--транзисторы--фотодетекторы--фототранзисторы--чувствительные слои
Аннотация: Исследован эффект умеренного нитридирования полупроводникового слоя канала на воспроизводимость и электрическую стабильность вольт-амперных характеристик устройства.
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Цаплин А.
Заглавие : Удачный ремонт блока управления электрическим вентилятором
Серия: Вокруг автомобиля
Место публикации : Радиомир. - 2019. - № 3. - С.24-25: 7 рис. (Шифр Р46/2019/3)
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): вентиляторы--блоки--транзисторы--диоды--термопаста
Аннотация: Установка ключевых транзисторов и защитного диода.
Найти похожие

 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)