Тюменская областная научная библиотека

Базы данных

Журналы. Газеты. Статьи- результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог книг

Патентная и нормативно-техническая документация

Краеведение

Журналы. Газеты. Статьи

КОЛЛЕКЦИИ

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>U=621.382<.>)

Общее количество найденных документов : 249
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Обухов И. А. (доктор физико-математических наук), Обухов И. И.
Заглавие : Приборы на основе пересекающихся нанопроводов
Параллельн. заглавия :Devices based on crossed nanowires
Серия: Элементы МНСТ
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2024. - Т. 26, № 1. - С.42-51: 15 рис. - ISSN 1813-8586 (Шифр Н218/2024/26/1). - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. в конце ст. (20 назв.). - Текст парал.: англ., рус.
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): квантование энергии--нанопровода--подпороговая крутизна--полевые транзисторы--размерное квантование энергии--термоэмиссионный предел--транзисторы--ячейки памяти
Аннотация: Рассмотрены конструкции двух приборов, которые могут быть созданы с использованием пересекающихся нанопроводов: полевого транзистора с металлическим затвором и ячейки памяти.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Ваганов, Андрей
Заглавие : Ступени микроэлектронной лестницы
Место публикации : Энергия: экономика, техника, экология. - 2023. - № 1. - С.2-8. - ISSN 0233-3619 (Шифр Э15/2023/1). - ISSN 0233-3619
УДК : 621.382 + 338(100)
ББК : 32.852 + 65.5
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Экономика
Мировая экономика. Международные экономические отношения --США --Тайвань --Китай; Россия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): микроэлектроника--чипы--лидеры производства--интегральные схемы--микросхемы--литографы--российская микроэлектроника--государственное финансирование--перспективы производства
Аннотация: Оценка мирового производства чипов и современных возможностей России в этой сфере микроэлектроники.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Мальцев, П. П., Ганжа А. А., Павлов В. Ю., Михалев А. О., Козлитин А. И., Сарайкин В. В.
Заглавие : Исследование полимерных нитей с наноостровковой топологией наногетероструктур алюминия
Параллельн. заглавия :A study of polymer threads with nanoisland topologies of aluminum nanoheterostructures
Серия: Нанотехнологии и зондовая микроскопия
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2023. - Т. 25, № 5. - С.203-209: 4 рис., 1 табл. - ISSN 1813-8586 (Шифр Н218/2023/25/5). - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. в конце ст. (11 назв.). - Текст парал.: англ., рус.
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): алюминий--двумерные пленки--излучение--металлизация--наногетероструктуры алюминия--наноостровковая топология--полимерные нити
Аннотация: Рассмотрены результаты исследования параметров нескольких вариантов образцов полимерных нитей: без металлизации; со сплошной металлизацией; с наноостровковой топологией наногетероструктур из алюминия.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Абрамов И. И. (доктор физико-математических наук)
Заглавие : Возможна ли искусственная реализация сознания?
Параллельн. заглавия :Is it possible to realize consciousness artificially?
Серия: Биоэлектроника
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2023. - Т. 25, № 1. - С.42-48: 2 рис. - ISSN 1813-8586 (Шифр Н218/2023/25/1). - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. в конце ст. (21 назв.). - Текст парал.: англ., рус.
УДК : 621.382 + 612 + 159.922 + 004.8
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гибридное сознание--идеалистическое сознание--искусственная реализация сознания--искусственное сознание--материалистическое сознание
Аннотация: В статье отмечается, что ученые выделяют три возможных направления искусственной реализации сознания: материалистическое, идеалистическое, гибридное.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Печерская Е. А. (доктор технических наук), Гурин С. А., Новичков М. Д.
Заглавие : Временная стабильность составных тонкопленочных резистивных структур
Параллельн. заглавия :Temporary stability of composite thin-film resistive structures
Серия: Элементы МНСТ
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2023. - Т. 25, № 2. - С.82-86: 5 рис. - ISSN 1813-8586 (Шифр Н218/2023/25/2). - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. в конце ст. (11 назв.). - Текст парал.: англ., рус.
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): резистивные структуры--тонкие пленки--тонкопленочные резистивные структуры
Аннотация: Исследованы процессы, протекающие в структуре тонких пленок, приводящие к изменению сопротивления тонкопленочного резистора с течением времени.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кондрашов К. К., Гасников А. О., Калинин С. Б., Лучинин В. В.
Заглавие : Информационная безопасность микросистем. Микроконтроллер
Параллельн. заглавия :Information security of microsystems. Microcontroller
Серия: Элементы МНСТ
Разночтения заглавия :: Микроконтроллер
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2023. - Т. 25, № 6. - С.288-294: 3 рис. - ISSN 1813-8586 (Шифр Н218/2023/25/6). - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. в конце ст. (7 назв.). - Текст парал.: англ., рус.
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): информационная безопасность--микроконтроллеры--тестирование--энергоинформационный реинжиниринг
Аннотация: Рассмотрены методологические и практические аспекты проведения тестирования микроконтроллеров на устойчивость к энергоинформационному реинжинирингу.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Соболев А. С., Павлов А. Ю., Майтама М. В., Глинский И. А., Пономарев Д. С., Хабибуллин, Р. А.
Заглавие : Метаповерхности для резонансно-туннельных диодов с двойным металлическим волноводом
Параллельн. заглавия :Metasurfaces for resonant tunneling diodes with double metal waveguides
Серия: Элементы МНСТ
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2023. - Т. 25, № 6. - С.295-298. - ISSN 1813-8586 (Шифр Н218/2023/25/6). - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. в конце ст. (14 назв.). - Текст парал.: англ., рус.
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ртд--волновое сопротивление--диоды с двойным металлическим волноводом--метаповерхности--распределенные генераторы--резонансно-туннельные диоды--сплит-ринг--щелевые резонаторы--электромагнитное моделирование
Аннотация: Предложены конструкции распределенных резонансно-туннельных диодов (РТД) с двойным металлическим волноводом, в верхнем электроде которого сформирован периодический рисунок (метаповерхность) на базе отверстий гексагональной решетки и цепочки щелевых резонаторов.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Масальский Н. В. (кандидат физико-математических наук)
Заглавие : Низковольтные логические вентили на базе вертикальных GAA нанотранзисторов
Параллельн. заглавия :Low-voltage logic gates based on vertical GAA nanotransistors
Серия: Моделирование и конструирование МНСТ
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2023. - Т. 25, № 5. - С.210-215: 5 рис. - ISSN 1813-8586 (Шифр Н218/2023/25/5). - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. в конце ст. (23 назв.). - Текст парал.: англ., рус.
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): gaa нанотранзисторы--кмоп--кмоп-нанотранзисторы--кни--комплементарно-металл-оксид-полупроводник--кремний на изоляторе--логические вентили--моделирование транзисторов--нанотранзисторы--низковольтные вентили--низкое напряжение питания--полупроводники с универсальным затвором--синтез вентилей
Аннотация: Обсуждаются вопросы численного моделирования низковольтных логических вентилей на базе кремниевых вертикальных КМОП-нанотранзисторов с полностью охватывающим затвором с конической геометрией.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Жукова С. А. (кандидат технических наук), Обижаев Д. Ю., Суздальцев С. Ю.
Заглавие : Проблемы технологии герметизации на уровне пластин при изготовлении чувствительного элемента для микромеханического акселерометра
Параллельн. заглавия :Problems of wafer level packaging of sensitive elements for MEMS
Серия: Материаловедческие и технологические основы МНСТ
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2023. - Т. 25, № 5. - С.221-228: 15 рис., 1 табл. - ISSN 1813-8586 (Шифр Н218/2023/25/5). - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. в конце ст. (11 назв.). - Текст парал.: англ., рус.
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кнп--мэмс--акселерометры--анодное сращивание--вакуумно-плазменное травление--высокоанизотропное травление--герметичные контакты--компенсационные акселерометры--кремний над полостью--маятниковые акселерометры--микроабразивная обработка--микромеханические акселерометры--микроэлектромеханические системы
Аннотация: Рассмотрены ключевые проблемы технологии КНП (кремний над полостью) при изготовлении чувствительных элементов микромеханических акселерометров маятникового и компенсационного типов со сборкой и герметизацией на уровне пластин: этап высокоанизотропного вакуумно-плазменного травления тонкой пластины кремния; этап анодного сращивания КНП с герметизирующей стеклянной крышкой; этап изготовления герметичных контактов.
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Гамкрелидзе С. А., Гнатюк Д. Л., Матвеенко О. С., Бугаев С. А., Галиев Р. Р., Зуев А. В., Лаврухин Д. В., Михалев А. О., Павлов А. Ю., Щаврук Н. В., Мальцев П. П.
Заглавие : Разработка монолитных интегральных схем на гетероструктурах нитрида галлия
Параллельн. заглавия :Development of monolithic integrated circuits on gallium nitride heterostructures
Серия: Материаловедческие и технологические основы МНСТ
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2022. - Т. 24, № 2. - С.55-66: 22 рис. - ISSN 1813-8586 (Шифр Н218/2022/24/2). - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. в конце ст. (48 назв.). - Текст парал.: англ., рус.
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): генераторы--интегрированные антенны--карбид кремния--кремний--кристаллы--малошумящие усилители--микросхемы--монолитные интегральные схемы--наногетероструктуры нитрида галлия--подложки--радиолокация--радиосвязь--сапфиры--усилители мощности
Аннотация: О проектировании монолитных интегральных схем на гетероструктурах нитрида галлия и различных подложках.
Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Тематический навигатор

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)