Базы данных


Журналы. Газеты. Статьи- результаты поиска

Вид поиска

КОЛЛЕКЦИИ
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Гращенко, А.$<.>)
Общее количество найденных документов : 7
Показаны документы с 1 по 7
1.


   
    Эффект воздействия n- и p-типа проводимости подложки Si(100) с буферным слоем SiC на механизм роста и структуру эпитаксиальных слоев полуполярных AlN и GaN / В. Н. Бессолов [и др.] // Физика твердого тела. - 2015. - Т. 57, вып. 10. - С. 1916-1921 : 6 рис. - Библиогр. в конце ст. (9 назв.) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37

Рубрики:
Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные): aln -- gan -- si подложка -- sic -- буферные слои -- кристаллография в целом -- подложки -- проводимость -- эпитаксиальные слои
Аннотация: Обнаружен новый эффект влияния типа легирования подложки Si (100) с пленкой SiC на механизм роста и структуру эпитаксиальных слоев AlN и GaN.

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Бессолов, В. Н.
Гращенко, А. С.
Коненкова, Е. В.
Мясоедов, А. В.
Осипов, А. В.
Редьков, А. В.
Родин, С. Н.
Рубец, В. П.
Кукушкин, С. А.


Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (24.11.2015г. Экз. 1 - ) (свободен)

Найти похожие

2.


   
    Исследование анизотропных упругопластических свойств пленок beta-Ga[2]O[3], синтезированных на подложках SiC/Si / А. С. Гращенко [и др.] // Физика твердого тела. - 2018. - Т. 60, вып. 5. - С. 851-856 : 5 рис. - Библиогр. в конце ст. (22 назв.) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.379

Рубрики:
Физика
Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные): si -- sic/si -- анизотропные свойства -- анизотропные упругопластические свойства -- галлий -- оксид галлия -- пленки оксида галлия -- подложки sic/si -- упругопластические свойства
Аннотация: Исследованы структурные и механические свойства пленок оксида галлия, выращенных на кремнии на кристаллографических плоскостях (001), (011) и (111) с буферным слоем карбида кремния.

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Гращенко, А. С.
Кукушкин, С. А.
Николаев, В. И.
Осипов, А. В.
Осипова, Е. В.
Сошников, И. П.


Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (09.06.2018г. Экз. 1 - ) (свободен)

Найти похожие

3.


   
    Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов / А. В. Редьков [и др.] // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 3. - С. 433-440 : 6 рис. - Библиогр. в конце ст. (21 назв.) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.379

Рубрики:
Физика
Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные): sic/si -- ансамбли микропор -- атомы -- замещение атомов -- микропоры -- процесс роста
Аннотация: Исследована временная эволюция ансамбля микропор, формирующихся в приповерхностной области кремния в процессе роста тонких пленок карбида кремния методом замещения атомов.

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Редьков, А. В.
Гращенко, А. С.
Кукушкин, С. А.
Осипов, А. В.
Котляр, К. П.
Лихачев, А. И.
Нащекин, А. В.
Сошников, И. П.


Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (04.04.2019г. Экз. 1 - ) (свободен)

Найти похожие

4.


    Гращенко, А. С.
    Исследование упругих свойств пленок SiC, синтезированных на подложках Si методом замещения атомов / А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 12. - С. 2313-2315 : 3 рис. - Библиогр. в конце ст. (13 назв.) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.379

Рубрики:
Физика
Физика полупроводников и диэлектриков -- Россия -- Санкт-Петербург, 2019 г.

Кл.слова (ненормированные): sic -- юнга модуль -- атомное замещение -- доклады -- карбид кремния -- конференции -- модуль юнга -- наноиндентирование -- пленки sic
Аннотация: Исследованы упругие свойства наномасштабной пленки карбида кремния, выращенной на кремниевой подложке методом замещения атомов.

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Кукушкин, С. А.
Осипов, А. В.


Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (20.01.2020г. Экз. 1 - ) (свободен)

Найти похожие

5.


    Гращенко, А.
    Радиоуправляемая модель биплана / А. Гращенко, В. Кибец // Моделист-конструктор. - 2015. - № 2. - С. 11-15 : рис., черт. . - ISSN 0131-2243
УДК
ББК 75.725

Рубрики:
Физическая культура и спорт
Авиамодельный спорт

Кл.слова (ненормированные): самодельные модели -- модели -- модели самолетов -- модели бипланов -- радиоуправляемые бипланы -- самолеты
Аннотация: Радиоуправляемая модель биплана с двигателем МДС-6, 5 КУ по дизайну самолета DUO 40 фирмы Graupner. Описание конструкции, технология изготовления.

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Кибец, В.


Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (06.03.2015г. Экз. 1 - ) (свободен)

Найти похожие

6.


    Гращенко, А.
    Жесткие крылья из пенопласта с бальзовой обшивкой / А. Гращенко, В. Кибец // Моделист-конструктор. - 2015. - № 2. - С. 16 : рис., черт. . - ISSN 0131-2243
УДК
ББК 75.725

Рубрики:
Физическая культура и спорт
Авиамодельный спорт

Кл.слова (ненормированные): самодельные модели -- модели -- модели самолетов -- модели бипланов -- радиоуправляемый биплан -- крылья самолетов -- пенопластовые крылья -- бальзовые обшивки крыльев
Аннотация: Радиоуправляемая модель биплана с двигателем МДС-6, 5 КУ по дизайну самолета DUO 40 фирмы Graupner по технологии постройки крыльев из пенопласта, с жесткой несущей обшивкой из бальзового шпона. Технология изготовления.

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Кибец, В.


Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (06.03.2015г. Экз. 1 - ) (свободен)

Найти похожие

7.


   
    Самоорганизация состава пленок Al[x]Ga[1-x]N, выращенных на гибридных подложках SiC/Si / С. А. Кукушкин, Ш. Ш. Шарофидинов, А. В. Осипов [и др.] // Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 3. - С. 363-369 : 3 рис. - Библиогр. в конце ст. (14 назв.) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.379

Рубрики:
Физика
Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные): sic/si -- гибридные подложки -- карбид кремния -- подложки sic/si -- твердые растворы -- хлорид-гидридная эпитаксия -- широкозонные полупроводники
Аннотация: Обнаружено явление самоорганизованного изменения состава эпитаксиальных слоев твердого раствора Al[x]Ga[1-x]N при их росте на гибридных подложках SiC/Si (111).

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Кукушкин, С. А.
Шарофидинов, Ш. Ш.
Осипов, А. В.
Гращенко, А. С.
Кандаков, А. В.
Осипова, Е. В.
Котляр, К. П.
Убыйвовк, Е. В.


Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : УЧЗПИ (4 этаж) (1)
Свободны: УЧЗПИ (4 этаж) (1)

Найти похожие

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)