Тюменская областная научная библиотека

Базы данных

Журналы. Газеты. Статьи- результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог книг

Патентная и нормативно-техническая документация

Краеведение

Журналы. Газеты. Статьи

КОЛЛЕКЦИИ

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Борисков, П. П.$<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Динамика развития канала переключения в планарных структурах на основе диоксида ванадия / М. А. Беляев [и др.] // Физика твердого тела. - 2018. - Т. 60, вып. 3. - С. 443-451 : 9 рис. - Библиогр. в конце ст. (26 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a536.42

ББК 22.375

Рубрики:
Физика
Термодинамика твердых тел -- Россия -- Санкт-Петербург, 2017 г.

Кл.слова (ненормированные): ванадий -- диоксид ванадия -- каналы переключения -- конференции -- планарные структуры -- развитие каналов переключения
Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования и численного моделирования динамики развития канала переключения в планарных структурах на основе диоксида ванадия.

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Беляев, М. А.
Борисков, П. П.
Величко, А. А.
Пергамент, А. Л.
Путролайнен, В. В.
Рябоконь, Д. В.
Стефанович, Г. Б.
Сысун, В. И.
Ханин, С. Д.

Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (27.03.2018г. Экз. 1 - ) (свободен)

Найти похожие

Cысун, В. И.
Моделирование процесса электроформовки униполярной переключательной структуры с памятью Pt/NiO/Pt / В. И. Cысун, И. В. Сысун, П. П. Борисков // Журнал технической физики. - 2016. - Т. 86, № 5. - С. 9-14. - Библиогр.: c. 13-14 (23 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a621.38

ББК 32.85

Рубрики:
Радиоэлектроника
Электроника в целом

Кл.слова (ненормированные): электроформовка -- униполярные переключательные структуры -- переключательные структуры -- переключательные структуры с памятью -- переходные термические процессы -- электрическая формовка -- численное моделирование -- аналитические аппроксимации -- оксид никеля -- reram -- микросхемы памяти -- проводящие каналы -- электрический пробой
Аннотация: Проанализированы экспериментальные данные переходного термического процесса электрической формовки униполярной переключательной структуры с памятью Pt/NiO/Pt. Численное моделирование этого процесса показало, что канал можно идентифицировать с областью проплавления оксида никеля, где его сечение определяется максимальным током пробоя, существенный вклад в который может вносить паразитная емкость. Для оценок параметров формирования канала приведены приближенные аналитические аппроксимации.

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Сысун, И. В.
Борисков, П. П.

Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (23.06.2016г. Экз. 1 - ) (свободен)

Найти похожие

Борисков, П. П.
Активационная диффузия кислорода в условиях фазового перехода металл-полупроводник диоксида ванадия / Борисков П. П., Беляев М. А., Величко А. А. // Журнал физической химии. - 2017. - Т. 91, № 6. - С. 998-1004 . - ISSN 0044-4537

УДК

^a539.19

ББК 22.36

Рубрики:
Физика
Молекулярная физика в целом

Кл.слова (ненормированные): активационная диффузия -- диоксид ванадия -- кислородные вакансии -- метод функционала плотности -- переход металл-полупроводник
Аннотация: Методом функционала плотности рассчитаны энергии образования кислородных вакансий и миграции кислорода в моноклинной и рутиловой фазах диоксида ванадия. Результаты сопоставлены с оценками параметров активационной диффузии кислорода по данным электронно-лучевой модификации тонкопленочных структур диоксида ванадия и их последующего восстановления в диапазоне температур 20-100°C.

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Беляев, М. А.
Величко, А. А.

Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (13.07.2017г. Экз. 1 - ) (свободен)

Найти похожие

Влияние вольфрама на температурный гистерезис сопротивления пленок диоксида ванадия / О. Я. Березина, П. П. Борисков, Е. А. Тутов [и др.] // Неорганические материалы. - 2022. - Т. 58, № 7. - С. 750-756 : 7 рис. - Библиогр.: с. 756 (22 назв. ) . - ISSN 0002-337X

УДК

^a537

ББК 22.33

Рубрики:
Физика
Электричество и магнетизм в целом

Кл.слова (ненормированные): фазовый переход металл-полупроводник -- легирование -- метод коэрцитивных температур -- золь-гель-метод -- вольфрам -- температурный гистерезис сопротивления -- диоксид ванадия
Аннотация: Анализируется влияние легирования вольфрамом поликристаллических пленок диоксида ванадия, полученных золь-гель-методом, на температурную зависимость сопротивления при фазовом переходе металл-полупроводник. Экспериментальные гистерезисы сопротивления показывают, что с ростом степени легирования пленок снижается температура фазового перехода, гистерезис сильнее растягивается по температуре, а величина скачка сопротивления падает. Построены функции распределения коэрцитивных температур и проведено их сравнение с гистограммами распределения размеров кристаллических зерен в чистых и легированных пленках. На основе этого анализа сделан вывод, что введение примеси вольфрама в диоксид ванадия не влияет (по крайней мере, до 6 ат. %) на процесс формирования структуры поликристаллических пленок. Изменение параметров фазового перехода при легировании вызвано, скорее всего, ростом количества дефектов донорного типа и большим разбросом по концентрации примеси в отдельных зернах.

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Березина, О. Я.
Борисков, П. П.
Тутов, Е. А.
Зломанов, В. П.
Авдеев, Н. А.

Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (15.09.2022г. Экз. 1 - Б.ц.) (свободен)

Найти похожие

Тематический навигатор

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)