Тюменская областная научная библиотека

Базы данных

Журналы. Газеты. Статьи- результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог книг

Патентная и нормативно-техническая документация

Краеведение

Журналы. Газеты. Статьи

КОЛЛЕКЦИИ

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Моисеев, К. Д.$<.>)

Общее количество найденных документов : 8
Показаны документы с 1 по 8

Особенности переноса заряда и ферромагнитный порядок в полупроводниковых гетероструктурах с delta-легированием марганцем / А. М. Луговых [и др.] // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 11. - С. 2160-2163 : 4 рис. - Библиогр. в конце ст. (13 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.21:537

ББК 22.373

Рубрики:
Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел

Кл.слова (ненормированные): delta-легирование -- гетероструктуры -- квантовые ямы -- легирование -- марганец -- полупроводниковые гетероструктуры -- ферромагнитный порядок
Аннотация: Приводятся результаты исследований температурных и полевых зависимостей удельной намагниченности и магнитосопротивления в гетероструктурах с квантовой ямой GaAs/Ga[0. 84]In[0. 16]As/GaAs и с delta-слоем атомарного Mn, расположенным в барьерном слое вблизи квантовой ямы, заполненной дырками.

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Луговых, А. М.
Чарикова, Т. Б.
Окулов, В. И.
Моисеев, К. Д.
Кудрявцев, Ю. А.

Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (23.12.2016г. Экз. 1 - ) (свободен)

Найти похожие

Моисеев, К. Д.
Особенности формирования эпитаксиальных слоев InAsSbP на подложке InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений / К. Д. Моисеев, В. В. Романов, Ю. А. Кудрявцев // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 11. - С. 2203-2207 : 5 рис. - Библиогр. в конце ст. (6 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379

Рубрики:
Физика
Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные): inassbp -- газофазная эпитаксия -- металлоорганические соединения -- подложка inas -- эпитаксиальные слои inassbp
Аннотация: Послойный анализ вторичных ионов показал градиентное изменение состава вдоль направления наращивания.

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Романов, В. В.
Кудрявцев, Ю. А.

Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (23.12.2016г. Экз. 1 - ) (свободен)

Найти похожие

Романов, В. В.
Перестройка спектров электролюминесценции в гетероструктурах II типа n-InAs/n-InAsSbP / В. В. Романов, Э. В. Иванов, К. Д. Моисеев // Физика твердого тела. - 2018. - Т. 60, вып. 3. - С. 585-590 : 6 рис. - Библиогр. в конце ст. (10 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37

Рубрики:
Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные): n-inas/n-inassbp -- n-inassbp -- гетероструктуры ii типа -- кристаллография в целом -- спектры электролюминесценции -- электролюминесценция
Аннотация: Получены одиночные гетеросруктуры II типа n{+}-InAs/n{0}-InAs[0. 59]Sb[0. 16]P[0. 25] на основе преднамеренно нелегированного эпитаксиального слоя с электронным типом проводимости.

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Иванов, Э. В.
Моисеев, К. Д.

Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (27.03.2018г. Экз. 1 - ) (свободен)

Найти похожие

Проявление эффектов магнитного упорядочения в проводимости и намагниченности полупроводниковых гетероструктур на основе GaAs при изменении концентрации дельта-слоя примесей марганца / К. Д. Моисеев [и др.] // Физика твердого тела. - 2018. - Т. 60, вып. 12. - С. 2325-2330 : 6 рис. - Библиогр. в конце ст. (12 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379

Рубрики:
Физика
Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные): gaas -- гетероструктуры -- магнитное упорядочение -- марганец -- полупроводниковые гетероструктуры -- примеси марганца -- проводимость
Аннотация: Проведено исследование характерных проявлений магнитного упорядочения и проводимости в полупроводниковых гетероструктурах с квантовой ямой GaAs : Be/Ga[0. 84]In[0. 16]As/GaAs и delta-слоями марганца различной толщины.

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Моисеев, К. Д.
Кудрявцев, Ю. А.
Чарикова, Т. Б.
Луговых, А. М.
Говоркова, Т. Е.
Окулов, В. И.

Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (16.01.2019г. Экз. 1 - ) (свободен)

Найти похожие

Романов, В. В.
Узкозонные гетероструктуры InAs[1-y]Sb[y]/InAsSbP (y=0.09-0.16) для спектрального диапазона 4-6 um, полученные методом МОГФЭ / В. В. Романов, Э. В. Иванов, К. Д. Моисеев // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 10. - С. 1746-1753 : 6 рис., 2 табл. - Библиогр. в конце ст. (15 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379

Рубрики:
Физика
Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные): могфэ -- антимониды -- гетеропереходы -- люминесценция -- метод могфэ -- спектральный диапазон
Аннотация: Продемонстрировано влияние химии поверхности активного слоя на состав наращиваемого барьерного слоя и на формирование гетероперехода InAsSb/InAsSbP при увеличении концентрации сурьмы в твердом растворе InAsSb.

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Иванов, Э. В.
Моисеев, К. Д.

Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (06.11.2019г. Экз. 1 - ) (свободен)

Найти похожие

Романов, В. В.
Формирование гетероперехода II типа в полупроводниковой структуре InAsSb/InAsSbP / В. В. Романов, Э. В. Иванов, К. Д. Моисеев // Физика твердого тела. - 2020. - Т. 62, вып. 11. - С. 1822-1827 : 6 рис., 2 табл. - Библиогр. в конце ст. (17 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379

Рубрики:
Физика
Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные): inas -- антимониды -- гетеропереходы -- гетероструктуры -- полупроводниковые структуры -- электролюминесценция
Аннотация: Представлены результаты исследования электролюминесцентных и вольт-амперных характеристик гетероструктуры n-InAs/n-InAsSb/p-InAsSbP, выращенной методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений.

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Иванов, Э. В.
Моисеев, К. Д.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : УЧЗПИ (4 этаж) (1)
Свободны: УЧЗПИ (4 этаж) (1)

Найти похожие

Моисеев, К. Д.
Определение зонной диаграммы гетероперехода InAs[1-y]Sb[y]/InAsSbP в интервале составов y меньше 0.2 / К. Д. Моисеев, В. В. Романов // Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 4. - С. 475-482 : 6 рис., 2 рис. - Библиогр. в конце ст. (10 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379

Рубрики:
Физика
Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные): inas -- антимониды -- гетеропереходы -- зонные диаграммы -- туннельная проводимость -- электролюминесценция
Аннотация: Проведен расчет зонной энергетической диаграммы двойной гетероструктуры InAs[1-y]Sb[y]/p-InAsSbP в диапазоне составов (y меньше 0. 2) узкозонной активной области.

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Романов, В. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : УЧЗПИ (4 этаж) (1)
Свободны: УЧЗПИ (4 этаж) (1)

Найти похожие

Пархоменко, Я. А.
Излучательная рекомбинация в разъединенном гетеропереходе II типа InAs/InSb с квантовыми точками на интерфейсе / Я. А. Пархоменко, Э. В. Иванов, К. Д. Моисеев // Физика твердого тела. - 2023. - Т. 65, вып. 4. - С. 645-651 : 5 рис. - Библиогр. в конце ст. (16 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37

Рубрики:
Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные): inas -- insb -- p-n-переходы -- гетеропереходы ii типа -- излучательная рекомбинация -- квантовые точки -- кристаллография в целом -- узкозонные гетероструктуры -- электролюминесценция
Аннотация: Исследованы электролюминесцентные свойства узкозонных гетероструктур II типа InAs/InSb/InAs, содержащих одиночный слой квантовых точек InSb, помещенный на границе раздела p-n-перехода в InAs.

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Иванов, Э. В.
Моисеев, К. Д.

Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (06.09.2023г. Экз. 1 - 2140.90 р.) (свободен)

Найти похожие

Тематический навигатор

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)